AMD 45nm工藝制程的特點：  

    與競爭對手大力宣傳的High-K+金屬柵結構的45nm制程工藝不同，AMD方面在工藝演進中所選擇的，是來自IBM工藝陣營的解決方案。在45nm這一關鍵節點上，AMD方面并沒有采用競爭對手的方案，而是啟用了包括浸潤蝕刻（Immersion lithography）在超低K電介質互聯（Ultra low-K）內的幾項前沿技術，同樣實現了相當優異的效果，甚至在部分環節，諸如核心頻率極限及核心耐壓值等方面保持著一定的優勢。

    浸潤蝕刻（Immersion lithography）技術是目前半導體界普遍看好的新技術之一，AMD方面率先將其導入了X86處理器生產線。通過浸潤蝕刻（Immersion lithography）的應用，芯片的蝕刻過程可以得到更優的折射效果，更小更精密的的晶圓幾何體結構，并且在晶體管性能上可以獲得額外的提升。

    超低K電介質互聯（Ultra low-K）是由IBM陣營引領的另一項前沿技術，通過超低K電介質互聯（Ultra low-K）的應用，能夠降低互聯電容、寫入延遲和能量消耗，從而明顯提高性能功耗比（每瓦特性能）。它可以降低金屬層間的電容量與導線延遲，對于進一步提升處理器效能與減少能源耗損是非常重要的步驟。在保證互聯電介質機械強度的同時，超低k電介質技術能減小其介電常數。與目前的low-k電介質相 比，Ultra-low-k 電介質能降低15％左右的寫入延遲。

    此外，配合新技術的使用，AMD處理器所使用SOI制造工藝也展現出良好的耐壓特性，在超頻狀態下，AMD 45nm處理器普遍可以承受1.5V以上的電壓沖擊4GHz以上  的極限頻率。
    本周，由AMD特別提供的極品特供處理器Phenom II 42 TWKR在開啟四顆核心的情況下，成功沖擊了7GHz大關，創造了4核心處理器的最新世界記錄（默認頻率：2.0GHz，超頻幅度達到250%）。